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AUIRFR/U4105Z
1200
1000
800
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
20
16
12
ID= 18A
VDS= 44V
VDS= 28V
VDS= 11V
600
8
400
200
0
1
Coss
Crss
10
100
4
0
0
5
10
15
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
20 25
30
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000.0
100.0
10.0
T J = 175°C
1000
100
10
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
1.0
0.1
T J = 25°C
VGS = 0V
1
0.1
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
1
10
100
1000
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
ance
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Forward Voltage
www.irf.com
5
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